Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IPP05CN10L G
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPP05CN10L G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12800059
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPP05CN10L G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
163 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
15600 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IPP05C
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IPP05CN10L G
HTML-Datenblatt
IPP05CN10L G-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
IPP05CN10LG
SP000308801
IPP05CN10L G-DG
SP000680812
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDP054N10
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
919
TEILNUMMER
FDP054N10-DG
Einheitspreis
2.39
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
PSMN4R6-60PS,127
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
7843
TEILNUMMER
PSMN4R6-60PS,127-DG
Einheitspreis
1.15
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FDP047N10
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
917
TEILNUMMER
FDP047N10-DG
Einheitspreis
2.08
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IRF100B201
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2527
TEILNUMMER
IRF100B201-DG
Einheitspreis
1.56
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
PSMN009-100P,127
HERSTELLER
NXP Semiconductors
VERFÜGBARE ANZAHL
291
TEILNUMMER
PSMN009-100P,127-DG
Einheitspreis
1.44
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BSS225H6327XTSA1
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
BSS123L7874XT
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPB80N06S4L05ATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
IPD105N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3